珠海鼎泰芯源晶体有限公司，成立于2017年3月，位于广东省珠海市高新技术产业区金鼎工业园。总投资7600万元，占地5600平方米。 公司致力于以磷化铟（InP）为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料的国产化事业，于2017年与中国科学院半导体研究所共同成立“化合物半导体晶体材料联合实验室”，目标是成为国际一流晶体材料公司。 产品主要应用于光纤通信、光探测器、红外光学、高频毫米波通信等领域。 公司建立了包括2位研究员、4位博士等高层次人才在内20多人的高水平研发团队，拥有VGF、VB法晶体生长技术、高表面质量线切割技术、超平整机械化学抛光技术、超洁净表面清洗技术等40余项半导体单晶相关的核心专利技术。在2019年下期成立博士后创新实践基地，并计划后续组织成立院士工作站，为公司的后续发展奠定坚实基础。 2017年4月1日已经与珠海高新技术产业开发区管理委员会签署了“鼎泰芯源磷化铟晶圆研发生产基地项目投资合作协议”，依靠高新技术产业区的相关优越政策，为产业的发展提供坚实基础。 2017年4月20日与中国科学院半导体研究所成立“化合物半导体晶体材料联合实验室”，实现国内***条具有自主知识产权磷化铟衬底材料生产线，打破国外企业在磷化铟衬底材料行业的垄断。目前已申请拥有55项专利，其中发明专利35项，实用新型20项；已授权专利27项，其中发明专利7项，实用新型20项。 公司秉承“客户***优先”的合作原则，为客户提供及时的售前及售后服务和技术支持。 2018年我司参加第七届中国创新创业大赛，获得新材料行业全国总决赛三等奖。2018年入选珠海市独角兽种子企业，获得高新技术产品认定。2019年认定为高新技术企业。