职位描述
工作职责:- 负责前沿工艺和规格 LPDDR4/5, HBM 及其他高速存储接口PHY IP进行模块级规格制定及电路设计仿真等;- 负责Chiplet接口模块级规格制定及电路设计仿真;- 与版图设计工程师进行协作并指导关键电路的版图设计;- 支持封装工程师进行先进封装设计及SI/PI仿真;- 支持硬件和测试工程师进行PCB设计及IP的bringup和debug;- 针对SoC架构需求对系统和性能需求进行分析并提供相应的解决方案。
任职资格:- 电子类硕士毕业5年以上的电路设计经验,3年以上的DDR PHY设计经验。具备高速Serdes设计经验者优先;- 深入理解DDR等高速存储接口协议。对其他Serdes协议理解者优先;- 对高速电路版图的要点有深入理解,包括寄生效应,串扰隔离、供电和偏置分布等;- 对设计环境和EDA经验丰富,包括设计,仿真,混仿,EM等。具备FinFet设计经验者优先;- 熟悉电磁结构的理论和实践方面,包括传输线、螺旋电感、谐振电路等;- 具备较好的自驱力及团队协作能力。
职能类别:模拟芯片设计
关键字:ddrhbm